Leon Chua, 1971 yılında, memristor adını verdiği bir devre elemanıyla ilgili “”matematik””sel bir modeli tanıtmış.makalesinin özetinde kısaca diyor ki;”memristor adı verilen, 2 terminalli, çalışma prensibi, akım ve akı arasındaki bağlantıyı kullanan 4. basit devre elemanı tanıtılıyor. Maxwell teoremlerinin quasi-static (çevre etmenleri değişse bile sisteminizin arka arkaya equilibrium durumuna girerek kararlılık göstermesi) açılımları kullanılarak elemanın çalışma prensibindeki bu bağlantı, elektro-manyetik alanlar şeklinde ifade ediliyor. Memristor’ların bir çok devre teorisi ile ilgili özelliği gösteriliyor. Görülüyor ki, bu eleman, direnç, kondansatör ve indüktörden farklı bir çalışma prensibi sergiliyor. Bu özellikler, sadece RLC devreler kullanılarak yapılamayacak bir çok sistemin gerçeklenmesini mümkün kılıyor. Sistem içinden güç almayan fiziksel bir memristor elemanı hala oluşturulamamasına rağmen, aktif devrelerin yardımıyla, çalışan laboratuvar modelleri üretildi. Memristor’ların olası uygulanma alanları ve özelliklerini göstermek amacıyla bu deneylerin sonuçları sunulmaktadır.”ve 37 yıl sonra, “”hp”” laboratuvarlarındaki araştırmacılar, fiziksel olarak gerçeklenebilir ilk memristor’ı ürettiler..

17 memristor sıralanmasıyla oluşturulan bir
17 memristor sıralanmasıyla oluşturulan bir “array”.. her bir memristor 50 nm yani 150 atom kalınlığında

peki ne anlama geliyor böyle bir elemanın keşfedilmesi?şöyle ki;
memristor’ın çalışma prensibi dolayısıyla, bir yönde akım verildiğinde direncini artırıyor, ters yönde akım verildikçe düşürmeye başlıyor.. öncelikle bu nedenle diğer elemanlardan ayrılıyor.. sadece iki tane hali var bu nedenle, “on” ve de “off”ayrıca, en önemlisi, non-volatile bir bellek elemanı.. yani sistemin gücü kesilse bile üzerindeki bilgileri saklayabiliyor.. en basitinden, eğer bu elemanların yapımı yaygınlaşırsa, flash bellek, dram, ve hatta bilgisayarımızdaki harddisk’e bile gerek kalmayacak..

memristor'ın çalışma prensibi, üstüne serilen titanyum dioksit katmanındaki yaklaşık %1'lik oksijen eksikliğinden oluşan boşlukları doldurup boşaltarak direnç farkı yaratmak
memristor’ın çalışma prensibi, üstüne serilen titanyum dioksit katmanındaki yaklaşık %1’lik oksijen eksikliğinden oluşan boşlukları doldurup boşaltarak direnç farkı yaratmak

kısacası, işin teorik çalışmasını bir kenara bırakırsak, eğer bu devre elemanı popüler olur ve günlük hayatımıza girerse devre teorisi baştan yazılacak demektir.. elektroniğe giriş kitaplarımıza yeni bölümler, yeni devre tasarımları eklenecek, analog mühendisinin öğrenmesi gereken daha çok şey olacak demektir..kaynak: 1 2 3